[发明专利]选择性去除氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除在审
| 申请号： | 201610202293.0 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106010826A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | W·J·小卡斯特尔;稻冈诚二;刘文达;陈天牛 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C11D7/60 | 分类号： | C11D7/60;C11D7/38;C11D7/10;C11D7/26;C11D7/08;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于剥离氮化钛硬掩膜并去除氮化钛蚀刻残留物的制剂包含胺盐缓冲剂、非环境氧化剂和其余部分，其余部分是包含水和非水液体载体的液体载体，该非水液体载体选自二甲基砜，乳酸，二醇，以及包括但不限于环丁砜类、亚砜类、腈类、甲酰胺类和吡咯烷酮类的极性非质子溶剂。制剂的pH<4，优选<3，更优选<2.5。含有水作为液体载体的水性溶剂和含有水与非极性非质子溶剂的半水性制剂还含有酸性氟化物。该制剂提供了高的氮化钛蚀刻速率，同时提供了对于W、AlN、AlO和低k介电材料的优异相容性。该制剂可以包含弱配位阴离子、腐蚀抑制剂和表面活性剂。系统和方法使用该制剂以剥离氮化钛硬掩膜并去除氮化钛蚀刻残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 去除 氮化 钛硬掩膜 蚀刻 残留物 | ||
【主权项】：
一种用于从半导体器件选择性去除氮化钛(TiN或TiNxOy；其中x＝0至1.3且y＝0至2)的组合物，所述半导体器件包含氮化钛和第二材料；所述组合物包含：胺盐缓冲剂；非环境氧化剂；和液体载体；其中所述组合物不包含过氧化氢；所述组合物的pH<4；所述第二材料选自Cu、W、氮化铝(AlNx，其中x＝0.5至1)、氧化铝(AlOx，其中x＝1至1.5)、低k介电材料及其组合；以及所述组合物提供的TiN或TiNxOy相对于所述第二材料的去除选择性>1:1。
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