[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201610195780.9 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN106024816A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 木村雅俊 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 韩峰;孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置。用于改进下述固态成像装置的性能,所述固态成像装置是通过进行分开曝光而形成的并且其中被布置在像素阵列区中的多个像素分别具有多个光电二极管,所述分开曝光用于通过多次曝光而对整个芯片进行曝光处理。控制信号布线被联接到第一区域中的像素中包括的相应光电二极管,所述第一区域是用于所述分开曝光的第一曝光区域。控制信号布线被联接到第二区域中的像素中包括的相应光电二极管,所述第二区域是第二曝光区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,所述半导体装置包括:固态成像装置,其包括:半导体衬底,所述半导体衬底在其主表面具有被在第一方向上布置的第一区域和第二区域;第一像素,所述第一像素具有形成在所述半导体衬底的所述主表面中的第一光电转换部和第二光电转换部,并且所述第一像素被形成在所述第一区域中;以及第二像素,所述第二像素具有形成在所述半导体衬底的所述主表面中的第三光电转换部和第四光电转换部,并且所述第二像素被形成在所述第二区域中,其中,所述第一光电转换部至所述第四光电转换部能够被各自独立地控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的