[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201610195780.9 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN106024816A 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 木村雅俊 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 韩峰;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置。用于改进下述固态成像装置的性能,所述固态成像装置是通过进行分开曝光而形成的并且其中被布置在像素阵列区中的多个像素分别具有多个光电二极管,所述分开曝光用于通过多次曝光而对整个芯片进行曝光处理。控制信号布线被联接到第一区域中的像素中包括的相应光电二极管,所述第一区域是用于所述分开曝光的第一曝光区域。控制信号布线被联接到第二区域中的像素中包括的相应光电二极管,所述第二区域是第二曝光区域。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,所述半导体装置包括:固态成像装置,其包括:半导体衬底,所述半导体衬底在其主表面具有被在第一方向上布置的第一区域和第二区域;第一像素,所述第一像素具有形成在所述半导体衬底的所述主表面中的第一光电转换部和第二光电转换部,并且所述第一像素被形成在所述第一区域中;以及第二像素,所述第二像素具有形成在所述半导体衬底的所述主表面中的第三光电转换部和第四光电转换部,并且所述第二像素被形成在所述第二区域中,其中,所述第一光电转换部至所述第四光电转换部能够被各自独立地控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610195780.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top