[发明专利]氮化镓肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明提供一种氮化镓肖特基二极管及其制作方法，其中方法包括在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层和氮化铝镓势垒层；在氮化铝镓势垒层上依次淀积氮化硅钝化层和氧化层；对氧化层和氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阴极接触孔；在氧化层的表面上溅射阴极金属；对阴极金属进行光刻刻蚀，形成阴极；对表面上未覆盖有阴极金属的氧化层和氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阳极接触孔和浮空场板接触孔；在氧化层的表面上溅射阳极金属；对阳极金属进行光刻刻蚀，形成阳极和浮空场板，从而通过浮空场板的设置，扩展了氮化镓肖特基二极管的耗尽区，均衡了氮化镓肖特基二极管的电场分布，减小了主肖特基结的电场强度，从而提高了氮化镓肖特基二极管的耐压。

主权项

一种氮化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层和氮化铝镓势垒层；在所述氮化铝镓势垒层上依次淀积氮化硅钝化层和氧化层；对所述氧化层和所述氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阴极接触孔；在所述氧化层的表面上采用磁控溅射方法溅射阴极金属；对除所述阴极接触孔上的阴极金属之外的其他阴极金属进行光刻刻蚀，形成阴极；对表面上未覆盖有阴极金属的所述氧化层和所述氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阳极接触孔和浮空场板接触孔；在所述氧化层的表面上采用磁控溅射方法溅射阳极金属；对除所述阳极接触孔和所述浮空场板接触孔上的阳极金属之外的其他阳极金属进行光刻刻蚀，形成阳极和浮空场板；在所述氧化层的表面上进行电极开孔，形成氮化镓肖特基二极管。