[发明专利]集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610177408.5 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024715B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 郑在烨;尹钟植;李化成;郑熙暾;柳齐民;车圭晚;尹钟密;金炫助 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：衬底，其包括形成在衬底中的鳍式有源区，所述鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，所述鳍式有源区包括在其至少一个侧壁上的台阶部分；鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的台阶绝缘层，所述台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分；以及鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层，其中所述台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间，第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
