[发明专利]一种Eu3+/Dy3+/Gd3+三掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法

摘要

本发明公开了用于白光LED的一种Eu³⁺/Dy³⁺/Gd³⁺三掺杂Na₅Lu₉F₃₂单晶体及其生长方法。特点是在Na₅Lu₉F₃₂单晶体中同时掺入Eu³⁺、Dy³⁺、Gd³⁺，在紫外光272nm的激发下，通过Gd³⁺离子的吸收，把能量有效传给Eu³⁺与Dy³⁺，从而实现高效的白光发射。采用加热温场上移法生长该单晶体具有设备简单、实用性强等特点，该技术可克服由于机械传动对晶体所带来的色带、生长条纹等缺陷，有利于获得优质单晶体。

主权项

一种Eu³⁺/Dy³⁺/Gd³⁺三掺杂Na₅Lu₉F₃₂单晶体，其特征在于该Na₅Lu₉F₃₂单晶体是一种稀土离子Eu³⁺/Dy³⁺/Gd³⁺三掺杂的单晶体，分子式为Na₅Lu_{(9‑α‑β‑γ)}Eu_αDy_βGd_γF₃₂，其中0.18≤α≤0.225，0.072≤β≤0.2025，0.36≤γ≤0.5625，所述α、β与γ的比例为1∶0.4～0.9∶2～2.5。