[发明专利]用于制造带有分裂栅极闪存单元的指状沟槽电容器的方法

摘要

本发明提供了用于形成分裂栅极闪存单元的方法以及产生的集成电路。提供具有存储单元区和电容器区的半导体衬底。电容器区包括一个或多个牺牲浅沟槽隔离(STI)区。对一个或多个牺牲STI区实施第一蚀刻以去除一个或多个牺牲STI区以及暴露与一个或多个牺牲STI区对应的一个或多个沟槽。在作为一个或多个沟槽的衬垫的半导体衬底的区域内注入掺杂剂。形成填充一个或多个沟槽的导电层。对导电层实施第二蚀刻以在存储单元区上方形成存储单元的控制栅极和选择栅极的一个以及在电容器区上方形成指状沟槽电容器的上电极。本发明的实施例还涉及用于制造带有分裂栅极闪存单元的指状沟槽电容器的方法。

主权项

1.一种用于制造集成电路的方法，所述方法包括：提供具有存储单元区和电容器区的半导体衬底，其中，所述电容器区包括一个或多个牺牲浅沟槽隔离(STI)区；对所述一个或多个牺牲浅沟槽隔离区实施第一蚀刻以去除所述一个或多个牺牲浅沟槽隔离区以及暴露与所述一个或多个牺牲浅沟槽隔离区对应的一个或多个沟槽；在作为所述一个或多个沟槽的衬垫的所述半导体衬底的区域内注入掺杂剂；在所述半导体衬底上方形成导电层，并且所述导电层填充所述一个或多个沟槽；对所述导电层实施第二蚀刻以在所述存储单元区上方形成存储单元的控制栅极和选择栅极的一个以及在所述电容器区上方形成指状沟槽电容器的上电极。