[发明专利]用于电器件中的载流结构的金属化部及其制造方法在审
申请号: | 201610154919.5 | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN105702660A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | C.比宁格;U.克瑙尔;H.措特尔;W.吕勒;T.耶武拉;R.尼斯尔 | 申请(专利权)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H03H9/02;H03H9/145;H05K1/09;H05K3/38;H05K1/02;H05K1/03;H05K3/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于电器件中的载流结构的金属化部及其制造方法,该金属化部布置在衬底(S)上,且具有基座、布置在该基座上的上覆层(TL)以及该基座中的布置在下层(BL)与上层(UL)之间的中间层(ML),其中基座包括下层(BL),该下层布置在衬底表面上方或者布置在衬底表面上并且包括Ti或者钛化合物作为主要成分,基座包括上层(UL),该上层布置在下层(BL)上方或者直接布置在下层(BL)上并且包括Cu作为主要成分,上覆层(TL)直接布置在上层上并且包括Al作为主要成分,以及中间层(ML)包括Ag。 | ||
搜索关键词: | 用于 器件 中的 结构 金属化 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
用于电器件中的载流结构的金属化部(M),‑ 布置在衬底(S)上,‑ 具有基座、布置在该基座上的上覆层(TL)以及该基座中的布置在下层(BL)与上层(UL)之间的中间层(ML),其中‑ 基座包括下层(BL),该下层布置在衬底表面上方或者布置在衬底表面上并且包括Ti或者钛化合物作为主要成分,‑ 基座包括上层(UL),该上层布置在下层(BL)上方或者直接布置在下层(BL)上并且包括Cu作为主要成分,‑ 上覆层(TL)直接布置在上层上并且包括Al作为主要成分,以及‑ 中间层(ML)包括Ag。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃普科斯股份有限公司,未经埃普科斯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610154919.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高深宽比结构
- 下一篇:一种MOS管散热结构及电动车控制器