[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610149806.6 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105990419A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 小林隆;林伯融;陈哲霖 | 申请（专利权）人： | 汉民科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾台北市大*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包含：一基板、一缓冲层、及一装置层。缓冲层沉积于基板上，且包括至少一氮化镓磊晶层及沉积于氮化镓磊晶层上的至少一插入层，其中一电子捕捉元素被掺杂入氮化镓磊晶层的一区域，该区域是为邻近该氮化镓磊晶层及其上的插入层之间的一介面。装置层则形成于缓冲层之上。借由上述结构，氮化镓磊晶层的电子被捕捉，而降低电子迁移率，并使得来自缓冲层漏电流被抑制，因此半导体装置的性能也就被提升。本发明亦揭露一种制造上述半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一半导体装置，其特征在于，其包含：一基板；一缓冲层，沉积于该基板上，且包括至少一氮化镓磊晶层及沉积于该氮化镓磊晶层上的至少一插入层，其中一电子捕捉元素被掺杂入该氮化镓磊晶层的一区域，该区域是邻近该氮化镓磊晶层及其上的该插入层之间的一介面；及一装置层，形成于该缓冲层之上。
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