[发明专利]薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：提供一衬底基板；在衬底基板上沉积缓冲层，并对缓冲层进行图形化处理，以形成薄膜晶体管的有源区；在衬底基板上依次沉积绝缘层以及第一金属层；在第一金属层的栅极区以及低掺杂区上涂布光阻；对第一金属层的栅极区以及低掺杂区之外的区域进行金属刻蚀，以露出绝缘层；对光阻进行灰化处理，以露出第一金属层的低掺杂区；对低掺杂区的第一金属层进行金属刻蚀，以形成金属半透掩膜；对有源区进行离子注入，以形成薄膜晶体管的源极区、源极低掺杂区、沟道区、漏极低掺杂区以及漏极区；对光阻进行去除操作。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上沉积缓冲层，并对所述缓冲层进行图形化处理，以形成所述薄膜晶体管的有源区；在所述衬底基板上依次沉积绝缘层以及第一金属层；在所述第一金属层的栅极区以及低掺杂区上涂布光阻，其中所述有源区在所述第一金属层上的投影覆盖所述栅极区和所述低掺杂区；对所述第一金属层的栅极区以及低掺杂区之外的区域进行金属刻蚀，以露出所述绝缘层；对所述光阻进行灰化处理，以露出所述第一金属层的低掺杂区；对所述低掺杂区的第一金属层进行金属刻蚀，以形成金属半透掩膜；对所述有源区进行离子注入，以形成所述薄膜晶体管的源极区、源极低掺杂区、沟道区、漏极低掺杂区以及漏极区；以及对所述光阻进行去除操作。