[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201610133719.1 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105976865B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 前嶋洋;铃木裕也;滋贺秀裕;黑沢智纪 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08;G06F13/16 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可提升运行可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1块，具备包含第1存储单元及第1选择晶体管的第1存储串；第2块，具备包含第2存储单元及第2选择晶体管的第2存储串；源极线，电连接于第1存储串及第2存储串；以及控制部，在对第1存储单元进行数据写入的编程运行时，对第2选择晶体管的栅极电极施加源极线的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：/n第1块，具备包含第1存储单元及第1选择晶体管的第1存储串；/n第2块，具备包含第2存储单元及第2选择晶体管的第2存储串；/n源极线，电连接于所述第1存储串及所述第2存储串；以及/n控制部，在对所述第1存储单元进行数据写入的编程运行时，对所述源极线施加源极线电压且对所述第2选择晶体管的栅极施加第1电压，其中所述第1电压大于接地电位，小于或等于所述源极线电压，且所述第1电压与在编程运行时施加至所述第1选择晶体管的栅极的第2电压不同。/n
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