[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

摘要

基板处理方法包括：基板保持工序，水平地保持基板；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，形成覆盖该基板的上表面的处理液液膜；第1气体喷出工序，在所述液膜形成工序后，从第1喷出口喷出第1气体，使所述第1气体从与该上表面交叉的方向向所述处理液液膜吹送，以形成从所述处理液液膜除去液膜的液膜除去区域，所述第1气体含有表面张力小于所述处理液的表面张力的低表面张力液体的蒸气；第2气体喷出工序，从与所述第1喷出口不同的环状的第2喷出口朝向横向且呈放射状地喷出第2气体，该第2气体含有表面张力比所述处理液的表面张力小的低表面张力液体的蒸气；以及液膜除去区域扩大工序，使所述液膜除去区域扩大。

主权项

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：基板保持工序，水平地保持基板，液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，形成覆盖该基板的上表面的处理液液膜，在所述液膜形成工序后，停止供给所述处理液，将喷嘴配置在所述基板的中心上方并使该喷嘴静止的工序，所述喷嘴具有用于朝下喷出气体的第1喷出口且在铅垂方向上的该第1喷出口的上方具有用于朝向横向喷出气体的环状的第2喷出口，第1气体喷出工序，从静止的所述喷嘴的所述第1喷出口喷出第1气体，使所述第1气体从与该上表面交叉的方向向所述处理液液膜吹送，以形成从所述处理液液膜除去液膜的液膜除去区域，所述第1气体含有表面张力小于所述处理液的表面张力的低表面张力液体的蒸气，第2气体喷出工序，从静止的所述喷嘴的所述第2喷出口沿着水平方向朝向横向且呈放射状地喷出第2气体，该第2气体含有表面张力比所述处理液的表面张力小的低表面张力液体的蒸气，以及液膜除去区域扩大工序，维持停止供给所述处理液的状态，使所述液膜除去区域扩大；所述第1气体形成吹送至所述上表面并沿着所述上表面流动，来向外方推开所述液膜来使所述液膜除去区域扩大的第1气流，所述第2气体不形成所述液膜除去区域地从所述基板的中心的上方呈放射状地喷出，由此，形成在所述第1气流上流动并且在通过所述第1气流扩大的液膜除去区域的外侧周围沿着所述液膜的上表面流动的第2气流，所述第2气体喷出工序在所述第1气体喷出工序开始之前开始执行，由此在所述基板中心周围的所述液膜的上表面处于表面张力小于所述处理液的表面张力的低表面张力液体的蒸气的环境下，开始形成所述液膜除去区域。