[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。薄膜晶体管阵列面板包括基板、缓冲层、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、显示器件层。薄膜晶体管包括多晶硅层、栅极、源极、漏极。多晶硅层包括第一、第二和第三区域，第一区域位于第二和第三区域之间；第二区域包括第四、第五和第六区域，第五区域位于第四和第六区域之间，第四区域位于第一和第五区域之间；第三区域包括第七、第八和第九区域，第八区域位于第七和第九区域之间，第七区域位于第一和第八区域之间；第六、第四、第九、第七区域分别掺杂有第一、第二、第三、第四离子；栅极与第一区域对应，源极与第六区域对应，漏极与第九区域对应。本发明能降低薄膜晶体管的漏电流。

主权项

一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；缓冲层；第一绝缘层；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：多晶硅层，所述多晶硅层设置于所述缓冲层和所述第一绝缘层之间；栅极，所述栅极设置在所述第一绝缘层上；源极；以及漏极；第二绝缘层；显示器件层；其中，所述多晶硅层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；所述第二区域包括第四区域、第五区域和第六区域，所述第五区域位于所述第四区域和所述第六区域之间，所述第四区域位于所述第一区域和所述第五区域之间，所述第六区域掺杂有第一离子，所述第四区域掺杂有第二离子；所述第三区域包括第七区域、第八区域和第九区域，所述第八区域位于所述第七区域和所述第九区域之间，所述第七区域位于所述第一区域和所述第八区域之间，所述第九区域掺杂有第三离子，所述第七区域掺杂有第四离子；所述栅极所在的位置与所述第一区域对应，所述源极与所述多晶硅层中位于所述第六区域的部分接触，所述漏极与所述多晶硅层中位于所述第九区域的部分接触。