[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。

【背景技术】

传统的显示面板一般采用TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)来作为开关器件。

其中，LDD(LightlyDopedDrain，轻掺杂漏)结构是目前的TFT的主流结构，LDD结构能有效抑制热载流子效应。

在实践中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

传统的LDD结构的TFT的漏电流较大，导致了所述TFT的输出电流下降。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，其能降低薄膜晶体管阵列面板中的薄膜晶体管的漏电流。

为解决上述问题，本发明的技术方案如下：

一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；缓冲层；第一绝缘层；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：多晶硅层，所述多晶硅层设置于所述缓冲层和所述第一绝缘层之间；栅极，所述栅极设置在所述第一绝缘层上；源极；以及漏极；第二绝缘层；显示器件层；其中，所述多晶硅层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；所述第二区域包括第四区域、第五区域和第六区域，所述第五区域位于所述第四区域和所述第六区域之间，所述第四区域位于所述第一区域和所述第五区域之间，所述第六区域掺杂有第一离子，所述第四区域掺杂有第二离子；所述第三区域包括第七区域、第八区域和第九区域，所述第八区域位于所述第七区域和所述第九区域之间，所述第七区域位于所述第一区域和所述第八区域之间，所述第九区域掺杂有第三离子，所述第七区域掺杂有第四离子；所述栅极所在的位置与所述第一区域对应，所述源极与所述多晶硅层中位于所述第六区域的部分接触，所述漏极与所述多晶硅层中位于所述第九区域的部分接触。

在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述多晶硅层中位于所述第二区域的部分和/或所述多晶硅层中位于所述第三区域的部分用于减少所述薄膜晶体管的漏电流。

在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述多晶硅层位于所述第六区域中的第一离子的掺杂浓度与所述多晶硅层位于所述第四区域中的所述第二离子的掺杂浓度形成第一梯度的浓度分布，所述多晶硅层位于所述第九区域中的所述第三离子的掺杂浓度与所述多晶硅层位于所述第七区域中的所述第四离子的掺杂浓度形成第二梯度的浓度分布。

在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述多晶硅层位于所述第六区域中的第一离子的掺杂浓度大于所述多晶硅层位于所述第四区域中的所述第二离子的掺杂浓度，所述多晶硅层位于所述第九区域中的所述第三离子的掺杂浓度大于所述多晶硅层位于所述第七区域中的所述第四离子的掺杂浓度。

在上述薄膜晶体管阵列面板中，所述第一离子、所述第二离子、所述第三离子和所述第四离子均为P离子。

一种如上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法，所述方法包括以下步骤：A、形成第一面板，其中，所述第一面板包括所述基板、所述缓冲层、所述多晶硅层、所述第一绝缘层和所述栅极，其中，所述多晶硅层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间，所述栅极所在的位置与所述第一区域对应；B、透过所述第一绝缘层中位于所述第二区域和所述第三区域的部分向所述多晶硅层掺杂所述第一离子、所述第二离子、所述第三离子和所述第四离子，以使得所述第二区域中的所述第六区域和所述第三区域中的所述第九区域分别掺杂有所述第一离子和所述第三离子，以及使得所述第二区域中的所述第四区域和所述第三区域中的所述第七区域分别掺杂有所述第二离子和所述第四离子；C、在所述第一面板上形成所述源极、所述漏极、所述第二绝缘层以及所述显示器件层，其中，所述源极与所述多晶硅层中位于所述第六区域的部分接触，所述漏极与所述多晶硅层中位于所述第九区域的部分接触。

在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述多晶硅层中位于所述第二区域的部分和/或所述多晶硅层中位于所述第三区域的部分用于减少所述薄膜晶体管的漏电流。

在上述薄膜晶体管阵列面板的制作方法中，所述多晶硅层位于所述第六区域中的第一离子的掺杂浓度与所述多晶硅层位于所述第四区域中的所述第二离子的掺杂浓度形成第一梯度的浓度分布，所述多晶硅层位于所述第九区域中的所述第三离子的掺杂浓度与所述多晶硅层位于所述第七区域中的所述第四离子的掺杂浓度形成第二梯度的浓度分布。