[发明专利]半导体装置、倒相电路、驱动装置、车辆以及升降机有效
| 申请号： | 201610124548.6 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN106024849B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 清水达雄;饭岛良介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式的半导体装置具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及SiC层的第一面与绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在第一面上具有未与SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，元素的面密度即第二面密度为第一面密度的1/2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电路 驱动 车辆 以及 升降机 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及所述SiC层的所述第一面与所述绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，所述元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在所述第一面上具有未与所述SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，所述元素的面密度即第二面密度为所述第一面密度的1/2以下。
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