[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610124515.1 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105679901B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该外延片包括衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；外延片还包括设置在N型GaN层和多量子阱有源层之间的电流扩展层，电流扩展层的结构为n个周期的GaN/AlxGaN/AlyGaN，其中GaN为低掺Si或者不掺Si的GaN层，AlxGaN和AlyGaN层均掺杂少量Si，AlxGaN层为Al组分为x的AlxGaN层，AlyGaN层为Al组分为y的AlyGaN层，0.1≤x≤0.35，沿N型GaN层到多量子阱有源层的方向，y从x递减到0，通过这种结构优化生长的外延片横向电流扩展得到明显的改善，进而使得发光均匀性得到改善，大大提高发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；其特征在于，所述发光二极管外延片还包括：设置在所述N型GaN层和所述多量子阱有源层之间的电流扩展层，所述电流扩展层的结构为n个周期的GaN/AlxGaN/AlyGaN，0.1≤x≤0.35，沿所述N型GaN层到所述多量子阱有源层的方向，y的取值按如下方式变化：从x递减到0，n为正整数。
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