[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种能够提高晶片的上表面与支撑衬底的接合强度的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置(1)具备：半导体衬底(11)；元件层(12)，位于半导体衬底(11)的上表面；绝缘层(13)，位于元件层(12)上；以及贯通电极(143)，包含主体部(143b)及头部(143c)，且经由绝缘层(13)的贯通孔而与元件层(12)中的上层配线(121)电连接，该主体部(143b)位于设置在绝缘层(13)的贯通孔内，该头部(143c)位于绝缘层(13)上，且相比于主体部(143b)直径扩大；而且头部(143c)的下表面侧的轮廓(143e)的尺寸可小于头部(143c)的上表面侧的轮廓(143d)的尺寸。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于具备：半导体衬底；元件层，位于所述半导体衬底的上表面；绝缘层，位于所述元件层的上表面；贯通电极，包含主体部及头部，且贯通所述绝缘层的贯通孔而延伸，并在所述元件层的上表面与所述元件层中的配线电连接，该主体部位于设置在所述绝缘层的所述贯通孔内，该头部位于所述主体部上及所述绝缘层的上表面；以及金属层，从所述绝缘层的上表面延伸至所述贯通孔内，设于所述头部与所述绝缘层的上表面之间、及所述主体部与所述贯通孔内的所述绝缘层的内侧面之间；且位于从所述金属层往外而分离的位置的所述头部的下表面侧的最外端的轮廓的尺寸小于从所述下表面分离的所述头部的上表面侧的最外端的轮廓的尺寸，且所述头部的下表面侧的最外端比所述绝缘层的最上表面高且分离。