[发明专利]阵列基板的制作方法及制得的阵列基板

摘要

本发明提供一种阵列基板的制作方法及制得的阵列基板，通过在第一钝化层上形成包覆第一通孔的导电连接层，从而在后续的平坦层的退火过程中，由于平坦层与第一通孔处的源/漏极之间设有导电连接层，不能够相接触，因此不会发生反应，有利于提高阵列基板的电学性能，实现信号导通；同时该方法工艺简单，生产良率极高。本发明制得的阵列基板，信号传导畅通，具有良好的电学性能。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上依次形成栅极(15)、栅极绝缘层(20)、有源层(25)、及源/漏极(30)；步骤2、在所述源/漏极(30)及栅极绝缘层(20)上形成第一钝化层(40)，并对该第一钝化层(40)进行图形化处理，得到对应于源/漏极(30)上方的第一通孔(41)；步骤3、在所述第一钝化层(40)上形成第一透明导电层，并对该第一透明导电层进行图形化处理，得到导电连接层(45)，所述导电连接层(45)包覆所述第一通孔(41)的孔壁、以及位于第一通孔(41)底部的源/漏极(30)；步骤4、在所述第一钝化层(40)、及导电连接层(45)上形成平坦层(50)，并对该平坦层(50)进行图形化处理，得到对应于导电连接层(45)上方的第二通孔(51)；步骤5、在所述平坦层(50)上沉积第二透明导电层，并对所述第二透明导电层进行图形化处理，形成公共电极(60)；步骤6、在所述公共电极(60)、平坦层(50)上形成第二钝化层(70)，并对所述第二钝化层(70)位于第二通孔(51)底部的部分进行开孔处理，得到第三通孔(71)，从而暴露出部分导电连接层(45)；步骤7、在所述第二钝化层(70)上沉积第三透明导电层，并对所述第三透明导电层进行图形化处理，形成像素电极(80)，所述像素电极(80)经由第三通孔(71)与导电连接层(45)相接触，由于导电连接层(45)与源/漏极(30)相接触，从而实现像素电极(80)与源/漏极(30)的导通；所述步骤4还包括：在所述平坦层(50)上形成第二通孔(51)后，对所述平坦层(50)进行退火处理。