[发明专利]光电半导体装置在审
| 申请号： | 201610109502.7 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107134521A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈奕璇;徐世昌 | 申请（专利权）人： | 光宝光电（常州）有限公司;光宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/50 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,郑泰强 |
| 地址： | 213161 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光电半导体装置，其包含基板、发光二极管芯片、波长转换材料、封装胶，以及保护层。发光二极管芯片设置于基板上。封装胶具有高于D50的肖氏硬度或小于10g/m2·24hrs的透湿性，且波长转换材料包含主峰波长在绿色光谱范围内的第一波长转换物质及主峰波长在红色光谱范围内的第二波长转换物质，其等为具有≦50纳米的放射光谱半高宽的萤光材料。本发明的光电半导体装置展现经改良的广色域(high NTSC)特性及亮度，且同时具有优良的信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种光电半导体装置，其特征在于，所述光电半导体装置包含：一基板；至少一发光二极管芯片，其设置于所述基板上；一波长转换材料，其设置于至少一所述发光二极管芯片的出光路径上；一封装胶，其包覆于至少一所述发光二极管芯片，所述封装胶具有高于D50的肖氏硬度或小于10g/m2·24hrs的透湿性；以及一保护层，其设置于所述基板及所述封装胶的至少一者上：其中，所述波长转换材料包含主峰波长在绿色光谱范围内的一第一波长转换物质及主峰波长在红色光谱范围内的一第二波长转换物质，所述第一波长转换物质及所述第二波长转换物质为具有≦50纳米的放射光谱半高宽的萤光材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光宝光电（常州）有限公司;光宝科技股份有限公司，未经光宝光电（常州）有限公司;光宝科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610109502.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管
- 下一篇：发光装置
