[发明专利]光电半导体装置

权利要求书

1.一种光电半导体装置，其特征在于，所述光电半导体装置包含：

一基板；

至少一发光二极管芯片，其设置于所述基板上；

一波长转换材料，其设置于至少一所述发光二极管芯片的出光路径上；

一封装胶，其包覆于至少一所述发光二极管芯片，所述封装胶具有高于D50的肖氏硬度或小于10g/m²·24hrs的透湿性；以及

一保护层，其设置于所述基板及所述封装胶的至少一者上：

其中，所述波长转换材料包含主峰波长在绿色光谱范围内的一第一波长转换物质及主峰波长在红色光谱范围内的一第二波长转换物质，所述第一波长转换物质及所述第二波长转换物质为具有≦50纳米的放射光谱半高宽的萤光材料。

2.如权利要求1所述的光电半导体装置，其还包含一反射杯，所述反射杯环形设置于所述基板上并环绕至少一所述发光二极管芯片。

3.如权利要求2所述的光电半导体装置，其中，所述封装胶位于所述波长转换材料与所述发光二极管芯片之间。

4.如权利要求1所述的光电半导体装置，其中，所述封装胶位于所述波长转换材料与所述发光二极管芯片之间。

5.如权利要求1至4中的任一所述的光电半导体装置，其中，所述保护层为一设置于所述基板及所述反射杯的至少其中一者上的防硫结构层。

6.如权利要求5所述的光电半导体装置，其中，所述防硫结构层为丙烯酸树脂或硅氧树脂。

7.如权利要求1至4中的任一所述的光电半导体装置，其中，所述保护层为一设置于所述反射杯、所述封装胶及所述波长转换材料的至少其中一者的外围上的含氟材料层。

8.如权利要求1至4中的任一所述的光电半导体装置，其中，所述第一波长转换物质是无机硫化物，或是粒径介于0至30纳米的III-V族、II-VI族或锰硒半导体材料的核壳量子点。

9.如权利要求8所述的光电半导体装置，其中，所述第二波长转换物质 是具有≦5纳米的放射光谱半高宽的萤光材料，或是粒径介于0至50纳米的III-V族、II-VI族或锰硒半导体材料的核壳量子点。

10.如权利要求1至4中的任一所述的光电半导体装置，其中，所述第二波长转换物质是具有≦5纳米的放射光谱半高宽的萤光材料，或是粒径介于0至50纳米之间的III-V族、II-VI族或锰硒半导体材料的核壳量子点。

11.如权利要求1至4中的任一所述的光电半导体装置，其中，所述封装胶为多苯基结构或高交联密度的硅氧树脂或多苯环或其他环状结构的环氧树脂。