[发明专利]具有不均匀栅极结构的FinFET器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610107591.1 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN106169501B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张家玮;张哲诚;巫柏奇;赵益承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种FinFET器件结构。FinFET器件结构包括：形成在衬底上方的隔离结构和形成在衬底上方的鳍结构。FinFET器件结构包括形成在鳍结构上方的第一栅极结构和第二栅极结构，并且第一栅极结构在平行于鳍结构的方向上具有第一宽度，第二栅极结构在平行于鳍结构的方向上具有第二宽度，并且第一宽度小于第二宽度。第一栅极结构包括具有第一高度的第一功函数层。第二栅极结构包括具有第二高度的第二功函数层以及第一高度和第二高度之间的差距介于从约1nm至约6nm的范围内。本发明实施例涉及具有不均匀栅极结构的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不均匀 栅极 结构 finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：隔离结构，形成在衬底上方；鳍结构，形成在所述衬底上方；和第一栅极结构和第二栅极结构，形成在所述鳍结构上方，其中，所述第一栅极结构在平行于所述鳍结构的方向上具有第一宽度，所述第二栅极结构在平行于所述鳍结构的方向上具有第二宽度，并且所述第一宽度小于所述第二宽度，以及其中所述第一栅极结构包括具有第一高度的第一功函数层，从所述隔离结构的顶面至所述第一栅极结构的顶面测量所述第一高度；所述第二栅极结构包括具有第二高度的第二功函数层，从所述隔离结构的顶面至所述第二栅极结构的顶面测量所述第二高度；以及差距，位于所述第一高度和所述第二高度之间，介于从约1nm至约6nm的范围内。
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