[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件的制造方法包括在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬底和阱区分别为彼此相反的第一掺杂类型和第二掺杂类型；在阱区上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅导体层；在阱区中形成第二掺杂类型的基区；在基区中形成第一掺杂类型的发射区；在发射区上形成发射电极；进行预处理，在半导体衬底的第二表面附近的区域形成预处理区；在半导体衬底的第二表面形成第一掺杂类型的集电区；在集电区上形成集电电极；以及进行第一热处理，第一热处理激活第一掺杂区的掺杂剂并且在集电区附近形成缺陷层。该方法通过引入缺陷层以降低半导体器件制造后期的热处理温度和获得高杂质激活。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，所述半导体衬底和所述阱区分别为第一掺杂类型；在所述阱区上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅导体层；在所述阱区中形成第二掺杂类型的基区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；在所述基区中形成第一掺杂类型的发射区；在所述发射区上形成发射电极；进行预处理，在半导体衬底的第二表面附近的区域形成预处理区；在半导体衬底的第二表面形成第二掺杂类型的集电区，其中，所述集电区的一部分与先前形成的预处理区重叠；在所述集电区上形成集电电极；以及进行第一热处理，所述第一热处理激活所述预处理区的掺杂剂并且在所述集电区附近形成具有缺陷的缺陷层。