[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201610104227.X | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609605A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李庆;张广庚;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括：衬底；N型半导体层；发光层；P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的透明导电层；位于透明导电层上且与P型半导体层电性连接的P电极、以及与N型半导体层电性连接的N电极，所述P电极包括电极主体部及沿主体部向N电极一侧延伸的引脚电极；所述电流阻挡层位于P电极下方，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。本发明通过改变电流阻挡层的形状，能够增大电流分布区域，使电流进行横向扩展，从而有效的提高LED芯片的抗静电能力，有效的降低封装应用端LED芯片失效的风险，提高了LED芯片的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的透明导电层；位于透明导电层上且与P型半导体层电性连接的P电极、以及与N型半导体层电性连接的N电极，所述P电极包括电极主体部及沿主体部向N电极一侧延伸的引脚电极；其特征在于，所述电流阻挡层位于P电极下方，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。
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