[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201610104227.X | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609605A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李庆;张广庚;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片，包括：
衬底；
位于所述衬底上的N型半导体层；
位于所述N型半导体层上的发光层；
位于所述发光层上的P型半导体层；
位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的透明导电层；
位于透明导电层上且与P型半导体层电性连接的P电极、以及与N型半导体层电性连接的N电极，所述P电极包括电极主体部及沿主体部向N电极一侧延伸的引脚电极；
其特征在于，所述电流阻挡层位于P电极下方，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凸出结构为水滴形结构、圆形结构、椭圆形结构的一种。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的平面面积大于所述P电极的平面面积。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极的正投影位于电流阻挡层内。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的厚度为100~300?。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、Si、SiC、GaN、ZnO中的一种。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层为P形GaN，所述N型半导体层为N型GaN，所述发光层为GaN或InGaN。
8.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一衬底；
在衬底上外延生长形成N型半导体层、发光层和P型半导体层；
刻蚀N型半导体层形成N型半导体台面；
在P型半导体层上形成电流阻挡层；
在电流阻挡层上形成覆盖所述电流阻挡层的透明导电层；
在透明导电层及N型半导体台面上分别形成与P型半导体层电性连接的P电极和与N型半导体层电性连接的N电极，其中，所述P电极包括电极主体部及沿主体部向N电极一侧延伸的引脚电极，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。
9.根据权利要求8所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述凸出结构为水滴形结构、圆形结构、椭圆形结构的一种。
10.根据权利要求8所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述P电极的正投影位于电流阻挡层内。
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