[发明专利]LED芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片领域，尤其涉及一种LED芯片及其制造方法。

背景技术

发光二极管（Light-EmittingDiode，LED）是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。由于其具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。

目前智能手机等终端设备上通常会采用LED芯片作为背光源，随着技术的发展，人们对LED芯片的亮度要求越来越高。常用的LED芯片为追求亮度高，版型设计主要以P电极加上单引脚，透明导电层设计非常薄。这样就导致LED芯片抗静电能力(ESD)介于2500V-4000V(也就是人体模式)，这样的LED芯片抗静电能力较弱，封装应用存在失效风险，LED芯片的可靠性和稳定性较低，容易失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LED芯片及其制造方法，其具有较好的抗静电能力、更高的可靠性和稳定性。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种LED芯片，包括：

衬底；

位于所述衬底上的N型半导体层；

位于所述N型半导体层上的发光层；

位于所述发光层上的P型半导体层；

位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的透明导电层；

位于透明导电层上且与P型半导体层电性连接的P电极、以及与N型半导体层电性连接的N电极，所述P电极包括电极主体部及沿主体部向N电极一侧延伸的引脚电极；

所述电流阻挡层位于P电极下方，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。

作为本发明的进一步改进，所述凸出结构为水滴形结构、圆形结构、椭圆形结构的一种。

作为本发明的进一步改进，所述电流阻挡层的平面面积大于所述P电极的平面面积。

作为本发明的进一步改进，所述P电极的正投影位于电流阻挡层内。

作为本发明的进一步改进，所述透明导电层的厚度为100~300?。

作为本发明的进一步改进，所述衬底为蓝宝石、Si、SiC、GaN、ZnO中的一种。

作为本发明的进一步改进，所述P型半导体层为P形GaN，所述N型半导体层为N型GaN，所述发光层为GaN或InGaN。

相应地，一种LED芯片的制造方法，所述方法包括以下步骤：

提供一衬底；

在衬底上外延生长形成N型半导体层、发光层和P型半导体层；

刻蚀N型半导体层形成N型半导体台面；

在P型半导体层上形成电流阻挡层；

在电流阻挡层上形成覆盖所述电流阻挡层的透明导电层；

在透明导电层及N型半导体台面上分别形成与P型半导体层电性连接的P电极和与N型半导体层电性连接的N电极，其中，所述P电极包括电极主体部及沿主体部向N电极一侧延伸的引脚电极，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。

作为本发明的进一步改进，所述凸出结构为水滴形结构、圆形结构、椭圆形结构的一种。

作为本发明的进一步改进，所述P电极的正投影位于电流阻挡层内。

与现有技术相比，本发明通过改变电流阻挡层的形状，能够增大电流分布区域，使电流进行横向扩展，从而有效的提高LED芯片的抗静电能力，有效的降低封装应用端LED芯片失效的风险，提高了LED芯片的可靠性和稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a、1b为现有技术中LED芯片的侧剖示意图和俯视示意图。

图2a、2b为本发明一具体实施方式中LED芯片的侧剖示意图和俯视示意图。

图3为本发明一具体实施方式中LED芯片制备方法的流程示意图。

具体实施方式