[发明专利]半导体存储装置及存储系统有效
| 申请号： | 201610101758.3 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105938724B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 车野敏文;白川政信;原德正 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够有效率地修复不良的半导体存储装置及存储系统。实施方式的半导体存储装置具备第1及第2区块(正常BLK及A型BLK)、以及行控制电路(120、130)。行控制电路(120、130)对第1区块以第1模式进行控制，对第2区块以第2模式进行控制。第1及第2区块分别具备第1至第3字线(WLn+1、WLn－1、WLn)。行控制电路(120、130)在第1模式下选择第3字线(WLn)，将第1及第2字线这两者(WLn+1、WLn－1)设为非选择。进而，在第2模式下，选择第1及第3字线这两者(WLn和WLn+1)，将第2字线(WLn－1)设为非选择。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 存储系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：/n第1区块、第2区块及第3区块，具备能够保持数据的多个存储单元晶体管；及/n行控制电路，在数据的写入及读出时，对所述第1区块以第1模式进行控制，对所述第2区块以第2模式进行控制，并对所述第3区块以第3模式进行控制；/n所述第1区块至第3区块分别具备第1字线及第2字线、位于所述第1字线与所述第2字线之间的第3字线、第1选择晶体管和第2选择晶体管、在所述第1选择晶体管和所述第2选择晶体管之间串联连接了多个所述存储单元晶体管的NAND串、以及连接于所述第1选择晶体管的栅极的第1选择栅极线；/n所述行控制电路能够独立地控制所述第1区块至第3区块各自中的所述第1字线至第3字线的电位，且/n在所述第1模式下，选择所述第3字线，将所述第1字线及第2字线这两者设为非选择，在所述第2模式下，选择所述第1字线及第3字线这两者，将所述第2字线设为非选择，在所述第3模式下，选择所述第1字线及第3字线这两者，将所述第2字线设为非选择；/n所述第3字线在所述第2区块中为从所述第1选择栅极线数起第偶数根字线，在所述第3区块中为从所述第1选择栅极线数起第奇数根字线。/n
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