[发明专利]光刻掩膜版及光刻掩膜版的制作方法在审

专利信息
申请号: 201610099466.0 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN105785709A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 吕振华;陈希;王世君;姜文博;李月;薛艳娜;肖文俊;张勇;包智颖 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G03F1/40 分类号: G03F1/40
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 滕一斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种光刻掩膜版及光刻掩膜版的制作方法,属于显示技术领域。所述光刻掩膜版包括多个微单元,所述多个微单元的长度小于第一长度,所述多个微单元的面积小于第一面积;由同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸。本发明将长度较长、面积较大的信号线进行切割,单独分离为多个长度较短、面积较小的微单元,由这些微单元组合成掩膜图案,由于微单元无法积累大量的电荷,因此为光刻掩膜版排除了静电击伤的隐患。此外,由于同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸,所以不会在TFT基板制作时造成断路。
搜索关键词: 光刻 掩膜版 制作方法
【主权项】:
一种光刻掩膜版,其特征在于,所述光刻掩膜版包括多个微单元,所述多个微单元的长度小于第一长度,所述多个微单元的面积小于第一面积;由同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸。
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