[发明专利]光刻掩膜版及光刻掩膜版的制作方法在审
申请号: | 201610099466.0 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN105785709A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 吕振华;陈希;王世君;姜文博;李月;薛艳娜;肖文俊;张勇;包智颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/40 | 分类号: | G03F1/40 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 掩膜版 制作方法 | ||
1.一种光刻掩膜版,其特征在于,所述光刻掩膜版包括多个微单元,
所述多个微单元的长度小于第一长度,所述多个微单元的面积小于第一面 积;
由同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸。
2.根据权利要求1所述的光刻掩膜版,其特征在于,由所述同一条信号线 切割而成的各个微单元的长度相同,面积相等。
3.根据权利要求1所述的光刻掩膜版,其特征在于,所述多个微单元的长 度相同,面积相等。
4.根据权利要求1所述的光刻掩膜版,其特征在于,所述多个微单元由对 原始掩膜图案中包括的多条信号线进行切割得到。
5.根据权利要求4所述的光刻掩膜版,其特征在于,所述多条信号线的长 度大于所述第一长度。
6.根据权利要求4所述的光刻掩膜版,其特征在于,所述多条信号线的面 积大于所述第一面积。
7.根据权利要求4所述的光刻掩膜版,其特征在于,所述多条信号线的长 度大于所述第一长度,且所述多条信号线的面积大于所述第一面积。
8.一种光刻掩膜版的制作方法,应用于上述权利要求1至7所述的光刻掩 膜版,其特征在于,所述方法包括:
在原始掩膜图案中查找满足切割条件的信号线;
对于满足切割条件的信号线,在所述信号线上确定各个切割位置,在所述 各个切割位置上将所述信号线切断,得到长度小于第一长度,且面积小于第一 面积的至少一个微单元。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述满足切割条件的信号线 为长度大于第一长度的信号线;或,
所述满足切割条件的信号线为面积大于第一面积的信号线;或,
所述满足切割条件的信号线为长度大于所述第一长度且面积大于所述第一 面积的信号线。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在所述各个切割位置 上将所述信号线切断,包括:
通过预设工艺在所述各个切割位置上将所述信号线切断,以保证同一条信 号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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