[发明专利]光刻掩膜版及光刻掩膜版的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种光刻掩膜版及光刻掩膜版的制作 方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展与进步，目前市场对显示产品的分辨率要求越来 越高，因此显示产品的PPI(PixelsPerInch，像素密度)不断增加，线宽和 线缝均显著减小。与此同时，在实际产品的生产、测试和搬运过程中，由于不 可避免地会引入静电，而如图1所示的光刻掩膜版仅有一层金属Cr，所以无法 像阵列基板一样通过多层图形形成ESD(Electro-Staticdischarge，静电释放) 短路环，将某条信号线上引入的高电压快速及时导走，因此极大地增加了尖端 放电的发生频率，造成信号线熔断或短路，直接影响了显示产品的优良率和制 作成本。

在实际生产中发现，光刻掩膜版的使用次数越多、使用时间越长，光刻掩 膜版上被静电击伤的位置就越多；而且信号线长度越长、面积越大，越容易积 累电荷，当电荷积累到一定程度时，静电会寻找薄弱点进行释放，造成光刻掩 膜版静电击伤，无法正常使用。因此如何排除光刻掩膜版被静电击伤的隐患， 成为了本领域技术人员较为关注的一个问题。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种光刻掩膜版及光刻掩 膜版的制作方法。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种光刻掩膜版，所述光刻掩膜版包括多个微单元，

所述多个微单元的长度小于第一长度，所述多个微单元的面积小于第一面 积；

由同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸。

可选地，由所述同一条信号线切割而成的各个微单元的长度相同，面积相等。

可选地，所述多个微单元的长度相同，面积相等。

可选地，所述多个微单元由对原始掩膜图案中包括的多条信号线进行切割得 到。

可选地，所述多条信号线的长度大于所述第一长度。

可选地，所述多条信号线的面积大于所述第一面积。

可选地，所述多条信号线的长度大于所述第一长度，且所述多条信号线的面 积大于所述第一面积。

第二方面，提供了一种光刻掩膜版的制作方法，应用于上述的光刻掩膜版， 所述方法包括：

在原始掩膜图案中查找满足切割条件的信号线；

对于满足切割条件的信号线，在所述信号线上确定各个切割位置，在所述 各个切割位置上将所述信号线切断，得到长度小于第一长度，且面积小于第一 面积的至少一个微单元。

可选地，所述满足切割条件的信号线为长度大于第一长度的信号线；或，

所述满足切割条件的信号线为面积大于第一面积的信号线；或，

所述满足切割条件的信号线为长度大于所述第一长度且面积大于所述第一 面积的信号线。

可选地，所述在所述各个切割位置上将所述信号线切断，包括：

通过预设工艺在所述各个切割位置上将所述信号线切断，以保证同一条信 号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

在将长度较长、面积较大的信号线进行切割后，使得一条信号线单独分离 为多个长度较短、面积较小的微单元，由这些微单元组合成掩膜图案，由于微 单元无法积累大量的电荷，因此为光刻掩膜版排除了静电击伤的隐患。此外， 由于同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸， 所以不会在TFT基板制作时造成断路。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明 的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明背景技术提供的一种光刻掩膜版的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种光刻掩膜版的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种光刻掩膜版的制作方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明 实施方式作进一步地详细描述。