[发明专利]一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法

摘要

本发明公开了一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，采用蒸镀仪进行制备，在室温下，将碳绳固定在蒸发源上，随后将Pt基板放入基片托片上并固定好，调节蒸镀仪的电流至61～65A，进行蒸镀，碳绳断裂，则停止蒸镀，冷却后，得N掺杂的非晶导电碳膜，将所得碳膜放入溅射仪中进行溅射后，即得。本发明可以直接利用蒸镀仪进行N掺杂非晶导电碳膜的制备，无需复杂的掺杂工艺、昂贵的掺杂设备，且制备工艺简便、工艺参数易于控制，能大大地降低生产成本；此外，利用本发明方法所得的N掺杂非晶导电碳膜制得的阻变存储器有较好的阻变性能。

主权项

一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用蒸镀仪进行制备，具体按照以下步骤实施：步骤1，在室温下，将蒸镀碳绳固定在蒸镀源上，将清洗后的Pt基板放在基片卡槽上固定后，关闭蒸镀仪舱门并确认密封完好；步骤2，开启抽真空电源，对蒸镀仪腔体进行抽真空，当真空度为1×10^‑2Pa时，打开N₂气阀门，将进入到蒸镀仪腔体的N₂气气压控制在2～4×10^‑2Pa；步骤3，打开蒸镀仪中蒸镀源电源，调节蒸镀源的电流，进行蒸镀，蒸镀碳绳断裂后，停止蒸镀，冷却后，得N掺杂的非晶导电碳膜；步骤4：将步骤3所得N掺杂的非晶导电碳膜放入溅射仪中，将掩模板固定在其上，打开开关并进行预抽真空，当真空度达到1～5×10^‑4Pa后对其进行顶电极的溅射，即得N掺杂非晶碳膜阻变存储器。