[发明专利]一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用蒸镀仪进行制备，具体按照以下步骤实施：

步骤1，在室温下，将蒸镀碳绳固定在蒸镀源上，将清洗后的Pt基板放在基片卡槽上固定后，关闭蒸镀仪舱门并确认密封完好；

步骤2，开启抽真空电源，对蒸镀仪腔体进行抽真空，当真空度为1×10^-2Pa时，打开N₂气阀门，将进入到蒸镀仪腔体的N₂气气压控制在2～4×10^-2Pa；

步骤3，打开蒸镀仪中蒸镀源电源，调节蒸镀源的电流，进行蒸镀，蒸镀碳绳断裂后，停止蒸镀，冷却后，得N掺杂的非晶导电碳膜；

步骤4：将步骤3所得N掺杂的非晶导电碳膜放入溅射仪中，将掩模板固定在其上，打开开关并进行预抽真空，当真空度达到1～5×10^-4Pa后对其进行顶电极的溅射，即得N掺杂非晶碳膜阻变存储器。

2.根据权利要求1所述的一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤1中，蒸镀碳绳的长度为1厘米。

3.根据权利要求2所述的一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述碳绳由纯度99％、直径为2毫米的石墨纤维制成。

4.根据权利要求1所述的一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤1中，Pt基板的清洗过程为：将基板放入丙酮中超声清洗1～2min，随后放入无水乙醇中超声清洗1～2min，最后用去离子水冲洗1～2次。

5.根据权利要求1所述的一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤3中，蒸镀源的电流为61～65A。

6.根据权利要求1所述的一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤4中，掩模板上设有周期性微孔，微孔的直径为1mm。

7.根据权利要求1所述的一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤4中，溅射靶材为Pt，纯度为99.9％，溅射时间为3～4min。