[发明专利]铂薄膜热敏电阻器的制造方法有效
申请号: | 201610092178.2 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN105632670B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 袁敏生;韩玉成;朱雪婷;陈思纤 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | H01C17/12 | 分类号: | H01C17/12;H01C17/065;H01C17/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种铂薄膜热敏电阻器的制造方法,属于片式薄膜电阻器制造方法。它包括陶瓷基片抛光、铂金膜层溅射、膜层热处理、等离子体刻蚀、激光数码调阻、电阻体包封、烧结、手工裂片、引线焊接、焊点包封、包封层固化。本发明具有生产成本低、生产效率高、产品体积小、阻值精度高等优点,是一种大规模生产铂薄膜热敏电阻器的理想方法。 1 | ||
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【主权项】:
1.一种铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是包括陶瓷基片抛光、铂金膜层溅射、膜层热处理、等离子体刻蚀、激光数码调阻、电阻体包封、烧结、手工裂片、引线焊接、焊点包封和包封层固化;具体方法如下:1)对99瓷基片上下表面进行抛光处理,表面粗糙度控制在0.10μm~0.15μm;2)用浓度为5%的NaOH溶液对抛光的陶瓷基片进行浸煮,用去离子水超声清洗基片,去除基片上残留的NaOH溶液,将基片置于烘箱中进行干燥;3)将干燥的基片放入离子溅射机腔体内,以铂金作为靶材,在基片表面沉积1.0μm~1.2μm的铂金膜层;4)用恒温加热炉对铂金膜层进行热处理,热处理温度为400℃~600℃,热处理时间为150min;5)用等离子体对热处理后的铂金膜层进行刻蚀,获得目标电阻体线宽为4μm~5μm的图形;6)用0.02W~0.5W、Q开关频率为2~20KHz、调阻速率为20mm/s~150mm/s的半导体激光对电阻体进行数码调阻,将电阻体阻值调到目标阻值和精度;7)用去离子水清洗激光调阻后的基片,去除残留在基片表面的粉尘,将基片置于烘箱中进行干燥;8)在电阻体表面印刷高温玻璃浆料,并置于烘箱中进行固化;9)用手工裂片方式对固化后的陶瓷基片进行一次、二次裂片;10)用不锈钢钳子截取0.15mm×0.25mm的铂金丝,长度为8mm~10mm;11)用5000W的电子压焊机将截面尺寸为0.15mm×0.25mm、长度为8mm~10mm的铂金丝一端焊接在电极上;12)配制高温玻璃浆料,均匀涂覆在铂金丝焊点表面,待玻璃浆料干燥后置于烘箱中进行固化。
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