[发明专利]片式薄膜电阻器的制造方法

摘要

本发明公开了一种片式薄膜电阻器的制造方法，属于片式电阻制造方法；旨在提供一种生产率高、成本低的片式薄膜电阻器的制造方法。它包括表、背电极和电阻体制作、包封、调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；其方法是：基片打磨，基片清洗，印刷表电极，印刷背电极，电极烧结，印刷阻挡层，真空溅射，清除阻挡层，热处理，激光调阻，印刷保护层，保护层固化，一次裂片、端涂电极，端电极烧结，二次裂片、镀镍、镀锡铅合金。本发明具有生产率高、成本低等优点，是一种大规模生产片式薄膜电阻器的理想方法。

主权项

1.一种片式薄膜电阻器的制造方法，包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、包封、激光调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；其特征在于具体方法如下：1)对陶瓷基片进行打磨，表面粗糙度控制在0.08～0.1μ；2)用去离子水对打磨过的陶瓷基片进行清洗，干燥；3)在清洗后的陶瓷基片表面印刷表电极，保证印刷厚度干燥后达到13～22μ；印刷所用的电极浆料是按常规方法配制的银浆料；4)在清洗后的陶瓷基片背面印刷背电极，保证印刷厚度干燥后达到8～17μ，印刷所用的电极浆料同步骤3)；5)将印刷有表电极膜和背电极膜的陶瓷基片850±2℃烧结8～12min；6)在烧结后的陶瓷基片表面印刷二次玻璃，保证表电极露出长度为0.1～0.5mm，干燥；7)以镍铬合金或铬硅合金为靶材，用真空溅射的方法对印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片表面进行溅射形成电阻体，保证薄膜沉积厚度为0.1～1μ；8)用浓度为95％的酒精清除附着在上述陶瓷基片上的二次玻璃，使电阻体图形露出；9)对清除后的陶瓷基片300～600℃热处理，时间为0.5～8h；10)用功率为0.5～2W、Q开关频率为2～20KHz、调阻速度为20～100mm/s的激光对电阻体进行L形切割，将其阻值调到所需的目标阻值和精度；11)在电阻体的表面印刷低温环氧树脂，干燥；12)将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片200～230℃固化烧结25～35min；13)将固化烧结后的陶瓷基片按照常规方法一次裂片，并在裂片条的端面涂刷端电极；14)将涂刷有端电极膜的裂片条600±2℃烧结5～9min；15)按常规方法二次裂片，然后镀镍、镀锡铅合金；保证镍层厚度为2～7μ，锡铅合金层厚度为3～18μ。