[发明专利]Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法

摘要

本发明公开了Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法，分子式为Sc_2xCe_2yLu_2(1-x-y)SiO₅和Sc_2xCe_2yY_2zLu_2(1-x-y-z)SiO₅。对于Sc_2xCe_2yLu_2(1-x-y)SiO₅，将Sc₂O₃、CeO₂、Lu₂O₃、SiO₂按比例配制并充分混合好后，压制成形，高温烧结后，用作晶体生长初始原料；对于Sc_2xCe_2yY_2zLu_2(1-x-y-z)SiO₅，将Sc₂O₃、CeO₂、Y₂O₃、Lu₂O₃、SiO₂按比例配制并充分混合好后，压制成形，高温烧结后，用作晶体生长初始原料；将生长初始原料加热熔化后，用提拉法、坩埚下降法进行生长，获闪烁体单晶。

主权项

Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体，其特征在于，其分子式分别表示为Sc_2xCe_2yLu_2(1‑x‑y)SiO₅和Sc_2xCe_2yY_2zLu_{2(1‑x‑y‑z)}SiO₅，其中，x、y、z的取值范围为：0<x<1，0<y<1，0<z<1，且x、y满足0<x+y<1，x、y、z满足0<x+y+z<1。