[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法有效
申请号: | 201610083844.6 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN107046029B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 周飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种静电放电保护结构及其形成方法,所述静电放电保护结构包括:基底,所述基底表面形成有鳍部;横跨所述鳍部的第一栅极结构;位于所述第一栅极结构一侧鳍部中的第一掺杂区;位于所述第一栅极结构另一侧鳍部中的第二掺杂区;位于所述第一掺杂区表面的第一导电结构;位于所述第二掺杂区表面的第二导电结构;位于所述第一栅极结构上,且与所述第一栅极结构相接触的第一散热结构。本发明通过在第一栅极结构上设置与第一栅极结构相接触的第一散热结构,将第一栅极结构上的热量导出,能够实现所述第一栅极结构的热量通过所述散热结构的热传导而散逸,缓解了所述静电放电保护结构的自发热问题,提高了静电放电保护结构的性能。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电保护结构,其特征在于,包括:基底,所述基底表面形成有鳍部;横跨所述鳍部的第一栅极结构,所述第一栅极结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面;位于所述第一栅极结构一侧鳍部中的第一掺杂区,所述第一掺杂区内具有第一类型离子;位于所述第一栅极结构另一侧鳍部中的第二掺杂区,所述第二掺杂区内具有第二类型离子;位于所述第一掺杂区表面的第一导电结构,用于输入第一电压信号;位于所述第二掺杂区表面的第二导电结构,用于输入第二电压信号,所述第二电压信号和所述第一电压信号不相等;位于所述第一栅极结构上,且与所述第一栅极结构相接触的第一散热结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的