[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面形成有鳍部；

横跨所述鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；

位于所述第一栅极结构一侧鳍部中的第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一类型离子；

位于所述第一栅极结构另一侧鳍部中的第二掺杂区，所述第二掺杂区内具有第二类型离子；

位于所述第一掺杂区表面的第一导电结构，用于输入第一电压信号；

位于所述第二掺杂区表面的第二导电结构，用于输入第二电压信号，所述第二电压信号和所述第一电压信号不相等；

位于所述第一栅极结构上，且与所述第一栅极结构相接触的第一散热结构。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一散热结构包括：位于第一栅极结构表面与所述第一栅极结构相接触的第一插塞，以及位于所述第一插塞上与所述第一插塞相接触的第一散热层。

3.如权利要求2所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一插塞在所述第一栅极结构顶部表面的投影面积与所述第一栅极结构顶部表面积的比值在1/3到1范围内。

4.如权利要求2所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅电极，所述第一栅电极材料包括多晶硅或金属；

所述第一插塞位于所述第一栅电极顶部表面。

5.如权利要求2所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一散热层与所述第一导电结构相连导通。

6.如权利要求2所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一插塞的材料包括钨或铝；所述第一散热层的材料包括钨或铝。

7.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述静电放电保护结构还包括：

位于第一掺杂区远离第一栅极结构一侧的第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；

位于所述第二栅极结构未设置有所述第一掺杂区一侧的第三掺杂区，所述第三掺杂区内具有第二类型离子；

位于所述第二栅极结构上，且与所述第二栅极结构相接触的第二散热结构。

8.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第二散热结构包括：位于第二栅极结构表面与所述第二栅极结构相接触的第二插塞，以及位于所述第二插塞上与所述第二插塞相接触的第二散热层。

9.如权利要求8所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第二插塞在所述第二栅极结构顶部表面的投影面积与所述第二栅极结构顶部表面积的比值在1/3到1范围内。

10.如权利要求8所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第二栅极包括第二栅电极，所述第二栅电极的材料包括多晶硅或金属；

所述第二插塞位于所述第二栅电极顶部表面。

11.如权利要求8所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第二散热层与所述第一导电结构相连导通。

12.如权利要求8所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第二插塞的材料包括钨或铝；所述第二散热层的材料包括钨或铝。

13.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述静电放电保护结构包括：

位于所述第一栅极结构和第二栅极结构上的介质层；

位于所述介质层中与所述第一栅极结构相连的第一插塞；

位于所述介质层中与所述第二栅极结构相连的第二插塞；

位于所述介质层上与所述第一插塞、第二插塞以及第一导电结构相连的导电层；

所述第一插塞和所述导电层用于构成所述第一散热结构；

所述第二插塞和所述导电层用于构成所述第二散热结构。