[发明专利]静电放电保护器件在审
申请号: | 201610083826.8 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN107046028A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 冯军宏;甘正浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/367 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 高静,吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种静电放电保护结构,包括基底,包括用于器件区,所述器件区表面具有栅极结构以及介质层;所述器件区包括中间区域和边缘区域;位于所述介质层表面的多个散热结构,中间区域的散热结构为第一散热结构,边缘区域的散热结构为第二散热结构,所述第一散热结构的面积大于所述第二散热结构的面积。本发明通过设置散热结构增强所述栅极结构的散热能力;而且第一散热结构的面积大于所述第二散热结构的面积,因此中间区域栅极结构的散热能力强于边缘区域栅极结构,改善了不同位置栅极结构存在温度差的问题,提高了不同位置栅极结构温度的均匀性,提高了不同位置晶体管的阈值电压的均匀性,提高了晶体管开启的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 器件 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护器件,其特征在于,包括:基底,包括用于形成静电放电保护结构的器件区,所述器件区的基底表面形成有栅极结构以及覆盖所述栅极结构的介质层;与基底表面平行的平面内在垂直栅极结构延伸方向上,所述器件区包括中间区域和边缘区域;位于所述介质层表面的多个散热结构,多个所述散热结构位于所述栅极结构上方,位于中间区域栅极结构上方的散热结构为第一散热结构,位于边缘区域栅极结构上方的散热结构为第二散热结构,所述第一散热结构的面积大于所述第二散热结构的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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