[发明专利]静电放电保护器件

权利要求书

1.一种静电放电保护器件，其特征在于，包括：

基底，包括用于形成静电放电保护结构的器件区，所述器件区的基底表面形成有栅极结构以及覆盖所述栅极结构的介质层；与基底表面平行的平面内在垂直栅极结构延伸方向上，所述器件区包括中间区域和边缘区域；

位于所述介质层表面的多个散热结构，多个所述散热结构位于所述栅极结构上方，位于中间区域栅极结构上方的散热结构为第一散热结构，位于边缘区域栅极结构上方的散热结构为第二散热结构，所述第一散热结构的面积大于所述第二散热结构的面积。

2.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述器件区还包括位于中间区域和边缘区域之间的过渡区域；

位于过渡区域栅极结构上方的散热结构的面积沿从中间区域向边缘区域的方向逐渐减小。

3.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一散热结构的面积为设计规则下的最大面积。

4.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述散热结构的材料为金属。

5.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述散热结构与所述栅极结构顶部之间距离小于150纳米。

6.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述散热结构包括一个或多个散热层。

7.如权利要求6所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述散热结构中散热层的数量在1个到3个范围内。

8.如权利要求6所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述散热结构包括多个散热层，相邻散热层之间的距离小于300纳米。

9.如权利要求6所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述散热结构包括多个散热层，所述散热结构还包括：连接相邻散热层的导热插塞。

10.如权利要求9所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述导热插塞的材 料为金属。

11.如权利要求9所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一散热结构内导热插塞的数量大于所述第二散热结构内导热插塞的数量。

12.如权利要求11所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述器件区还包括位于中间区域和边缘区域之间的过渡区域；

位于过渡区域栅极结构上方的散热结构内导热插塞的数量沿从中间区域向边缘区域的方向逐渐减小。

13.如权利要求11所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述第一散热结构内导热插塞的数量为设计规则下的最大值。

14.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述散热结构包括多个面积相等的子结构；位于中间区域栅极结构上方的子结构为第一子结构，以构成第一散热结构；位于边缘区域栅极结构上方的子结构为第二字结构，以构成第二散热结构；

所述第一子结构的数量大于所述第二子结构的数量。

15.如权利要求14所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述器件区还包括位于中间区域和边缘区域之间的过渡区域；

位于过渡区域栅极结构上方的子结构的数量沿从中间区域向边缘区域的方向逐渐减小。

16.如权利要求14所述的静电放电保护器件，其特征在于，沿栅极结构延伸方向，多个所述子结构均匀分布于栅极结构上方。

17.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述器件区基底表面形成有多个栅极结构，多个所述栅极结构之间相互平行设置；

位于所述栅极结构上方的多个散热结构相互平行。

18.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述静电放电保护结构为栅接地N型场效应晶体管，

所述器件区的基底内还形成有：

多个源区和漏区，所述源区和漏区分别位于所述栅极结构两侧，且相邻栅极结构共用同一源区或漏区；

与所述源区和漏区相连的多个连接插塞，用于实现静电输入和输出，多个所述连接插塞沿散热结构延伸方向排列。