[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

本发明提供一种存储器及其形成方法，其中，所述存储器包括下拉晶体管和传输晶体管，下拉晶体管包括：第一栅极结构；第一栅极结构包括第一栅介质层、第一栅极以及位于第一栅介质层与第一栅极之间的第一功函数层；第一栅极结构下方的第一区域衬底中具有第一掺杂离子；传输晶体管包括：第二栅极结构；第二栅极结构包括第二栅介质层、第二栅极以及位于第二栅介质层与第二栅极之间的第二功函数层；第二栅极结构下方的第二区域衬底中具有第二掺杂离子；第一功函数层的功函数大于第二功函数层的功函数，第一掺杂离子浓度小于第二掺杂离子浓度。其中，通过使第一掺杂离子的浓度小于第二掺杂离子浓度，增大存储器的beta率，提高存储器的静态噪声容量。

主权项

一种存储器，所述存储器包括下拉晶体管和传输晶体管，所述存储器形成于衬底上，所述衬底包括用于形成下拉晶体管的第一区域衬底和用于形成传输晶体管的第二区域衬底，其特征在于，所述下拉晶体管包括：位于第一区域衬底上的第一栅极结构；所述第一栅极结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层上的第一栅极以及位于第一栅介质层与第一栅极之间的第一功函数层；所述第一栅极结构下方的第一区域衬底中具有第一掺杂离子；所述传输晶体管包括：位于第二区域衬底上的第二栅极结构；所述第二栅极结构包括第二栅介质层、位于第二栅介质层上的第二栅极以及位于第二栅介质层与第二栅极之间的第二功函数层；所述第二栅极结构下方的第二区域衬底中具有第二掺杂离子；所述第一功函数层的功函数大于第二功函数层的功函数，所述第一掺杂离子浓度小于第二掺杂离子浓度。