[发明专利]具有反锥形的介电结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610080704.3 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105895504B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | M·恩格尔哈特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有反锥形的介电结构及其形成方法。一种用于形成介电结构的方法，包括在衬底之上形成辅助层，以及在辅助层内形成孔。填充材料被沉积到孔中。去除辅助层以形成具有反锥形的介电结构。介电结构的顶部关键尺寸大于底部关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 锥形 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成介电结构的方法，所述方法包括：在衬底之上形成辅助层；使用等离子体蚀刻在所述辅助层内形成通孔，其中在所述等离子体蚀刻期间的工艺气体包括在所述等离子体蚀刻期间具有聚合物的高堆积的第一成分、以及在所述等离子体蚀刻期间具有聚合物的低堆积的第二成分，其中所述第一成分相对于所述第二成分的气流比率使得所述第一成分比所述第二成分多；将填充材料沉积到所述通孔中；以及去除所述辅助层以形成具有反锥形的所述介电结构，所述介电结构的顶部关键尺寸(CD)大于底部CD。
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