[发明专利]一种泡生法蓝宝石单晶炉热屏对热场的影响在审
申请号: | 201610075732.6 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN106119963A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 郭维;刘亚南;蒋长峰;张凤;陈浩 | 申请(专利权)人: | 江苏浩瀚蓝宝石科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20;C30B17/00 |
代理公司: | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人: | 姜彦 |
地址: | 225300 江苏省泰*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种泡生法蓝宝石单晶炉热屏对热场的影响,(1)晶体温度呈现中心低边缘高、上低下高的分布;(2)顶部保温屏层数、反射屏的开口半径大小都是影响晶体温度场分布的重要参数;(3)根据模拟结果,调整实际热屏参数,生长出大直径、高质量蓝宝石单晶,晶体无明显缺陷。本发明的优点是调整实际热屏参数,以适当增大径向温度梯度,减少轴向温度梯度,成功生长出大直径、高质量的蓝宝石单晶,晶体完好,晶身清澈透亮,表面平整光滑,无损伤,无褶皱开裂等宏观缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 泡生法 蓝宝石 单晶炉热屏 影响 | ||
【主权项】:
一种泡生法蓝宝石单晶炉热屏对热场的影响,其特征在于:(1)晶体温度呈现中心低边缘高、上低下高的分布; (2)顶部保温屏层数、反射屏的开口半径大小都是影响晶体温度场分布的重要参数;(3)根据模拟结果,调整实际热屏参数,生长出大直径、高质量蓝宝石单晶,晶体无明显缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏浩瀚蓝宝石科技有限公司,未经江苏浩瀚蓝宝石科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610075732.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种石料破碎粉尘的自动检测及控制设备
- 下一篇:堆叠芯片共享像素架构