[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置有效
申请号: | 201610073355.2 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN105702584B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 林子锦;赵海生;裴晓光;彭志龙;孙东江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/10;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置,属于显示技术领域。其中,薄膜晶体管的制作方法包括:在基板上形成过渡层;对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域,所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形,其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构;在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层;除去所述过渡层,所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。本发明的技术方案能够避免膜层残留不良,提高阵列基板的良品率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成过渡层;对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域,所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形;在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层;除去所述过渡层,所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形;所述第一结构层为有源层;所述除去所述过渡层,所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形包括:在所述材料层上涂覆一层光刻胶;利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域,所述光刻胶保留区域对应所述第一结构层的图形;利用干法刻蚀除去光刻胶未保留区域的所述材料层;将剥离液与所述过渡层接触,使得所述过渡层与剥离液反应从基板上除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造