[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管的制作方法包括：在基板上形成过渡层；对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。本发明的技术方案能够避免膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

现有阵列基板的制作工艺包括在衬底基板上依次形成栅金属层的图形、有源层的图形、源漏金属层的图形、钝化层的图形和透明导电层的图形，其中，在制作每一层的图形时，都需要采用沉积、涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等步骤。

在形成有源层的图形时，是在栅绝缘层(可以采用SiNx)上依次沉积a-Si层和N+a-Si层，然后在N+a-Si层上涂覆光刻胶，曝光显影后保留所需要有源层图案区域上方的光刻胶，将其他区域光刻胶除去，再通过干法刻蚀将没有受光刻胶保护的a-Si层及N+a-Si层除去，最后再通过药液反应将光刻胶剥离，从而形成有源层的图形。

在生产过程中，由于环境、设备或其他异常原因不可避免地导致在膜层上附着尘埃、碎屑等异物，这些异物可在沉积过程中附着，也可在涂覆光刻胶的过程中或在进行干法刻蚀的时候附着，在对有源层进行干法刻蚀时，由于有源层上附着有异物，导致刻蚀气体无法与有源层接触反应，存在异物的位置将发生有源层膜层残留现象，导致亮点不良，严重影响阵列基板的良品率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置，能够避免膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上形成过渡层；

对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形；

在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；

除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。

进一步地，所述过渡层的材料为光刻胶材料。

进一步地，所述第一结构层为有源层。

进一步地，所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构，所述过渡层为正性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括：

采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；

显影后形成对应所述不透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述完全透光区域的所述过渡层未保留区域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。

进一步地，所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构，所述过渡层为负性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括：

采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；