[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供包括交替的第一U形电极和第二U形电极、以及将第一和第二U形电极互连的接触衬垫的结构。每个第一U形电极包括通过位于衬底的一端的弯折部而连接的基本平行的直部。每个第二U形电极包括通过位于衬底的相反另一端的弯折部而连接的基本平行的直部。邻近的第一和第二U形电极的每个相邻的直部构成具有亚光刻间距的电极对。每个接触衬垫与第一和第二U形电极中的一个的弯折部重叠并且接触。

主权项

1.一种半导体结构，包括：多个第一U形电极，其嵌入在电介质材料层中，每个所述第一U形电极具有基本平行地延伸并且通过位于所述电介质材料层的一端的弯折部连接的直部；多个第二U形电极，其嵌入在所述电介质材料层中，并且将所述多个第一U形电极彼此分隔，每个所述第二U形电极具有基本平行地延伸并且通过位于所述电介质材料层的相反另一端的弯折部连接的直部；以及多个接触衬垫，其嵌入在所述电介质材料层中，所述接触衬垫与所述多个第一U形电极和所述多个第二U形电极的所述弯折部重叠并且接触，其中，所述多个第一U形电极中的一个的一个直部和所述多个第二U形电极中的一个的相邻直部构成电极对，所述电极对具有亚光刻间距。