[发明专利]一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽肖特基势垒二极管，包括有源区和截止区，有源区自上而下依次由阳极金属层、肖特基势垒金属层、第一导电类型轻掺杂的N型外延层、第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底和阴极金属层构成，N型外延层上部设有若干沟槽，沟槽横向间隔设置，肖特基势垒金属层与相邻沟槽之间的N型外延层的顶面形成肖特基势垒接触，沟槽内填充有导电多晶硅，导电多晶硅与沟槽之间设有隔离层，隔离层的内部设有真空气隙，沟槽在有源区和截止区相互连通。该沟槽肖特基势垒二极管具有反向阻断电压高、反向偏压低忽然反向漏电低等优点。本发明还公开了一种沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，该方法具有制造方法步骤少，制造成本等优点。

主权项

一种沟槽肖特基势垒二极管，其特征在于：包括中部的有源区和环绕有源区的截止区，有源区自上而下依次由阳极金属层（1）、肖特基势垒金属层（2）、第一导电类型轻掺杂的N型外延层（3）、第一导电类型重掺杂的单晶硅衬底（4）和阴极金属层（5）构成；N型外延层上部设有若干沟槽（6），沟槽（6）横向间隔设置；肖特基势垒金属层（2）与相邻沟槽之间的N型外延层（3）的顶面形成肖特基势垒接触；沟槽（6）内填充有导电多晶硅（7），导电多晶硅（7）的顶面与肖特基势垒金属层（2）形成欧姆接触；导电多晶硅（7）与沟槽（6）的内表面之间设有隔离层（8），隔离层（8）的内部设有真空间隙（9）；沟槽（6）在有源区和截止区相互连通。