[发明专利]包括金属化层的器件和制造器件的方法有效
| 申请号： | 201610060149.8 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105845662B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | M·米希兹;M·海恩里希;S·施瓦布 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/60 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱;吕世磊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开的实施方式涉及包括金属化层的器件和制造器件的方法。该器件包括基部元件和在基部元件之上的金属化层。金属化层包括孔隙并且具有变化的孔隙度，孔隙度在与基部元件相邻的部分中比在远离基部元件的部分中高。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 金属化 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n基部元件；和/n在所述基部元件之上的金属化层，所述金属化层包括孔隙并且具有变化的孔隙率，所述孔隙率在与所述基部元件相邻的部分中比在远离所述基部元件的部分中高。/n
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