[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610059555.2 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN106941118A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 林建廷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。此种半导体结构包括一基板、一栅极结构、一第一介电层、以及二气隙。栅极结构设置在基板上。栅极结构具有相对的二侧壁。栅极结构包括一U形结构和一金属栅极电极。U形结构定义朝向上方的一开口。U形结构包括一功函数层。金属栅极电极设置在U形结构所定义的开口中。U形结构的一上表面的水平高度低于金属栅极电极的一上表面的水平高度。第一介电层设置在基板上并邻接于栅极结构。该二气隙分别形成在第一介电层和栅极结构相对的二侧壁的其中一者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：基板；栅极结构，设置在该基板上，该栅极结构具有相对的二侧壁，该栅极结构包括：U形结构，定义朝向上方的一开口，该U形结构包括功函数层；和金属栅极电极，设置在该U形结构所定义的该开口中，其中该U形结构的一上表面的水平高度低于该金属栅极电极的一上表面的水平高度；第一介电层，设置在该基板上并邻接于该栅极结构；以及二气隙，分别形成在该第一介电层和该栅极结构相对的该二侧壁的其中一者之间。
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