[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201610058612.5 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105679770B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王祖强;杨玉清;皇甫鲁江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/31;H01L21/77;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王鹏鑫 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板，其包括：显示区和封装区，所述封装区包括多层功能层，所述封装区还包括通孔，所述通孔贯穿至少一层功能层，所述通孔用于使封装胶通过所述通孔流入；沟槽，所述沟槽设置在至少部分所述通孔上方，其中，所述至少部分通孔在阵列基板的衬底基板上的投影区域位于所述沟槽在所述衬底基板上的投影区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其包括：显示区和封装区，所述封装区包括衬底基板和位于所述衬底基板之上的多层功能层，所述封装区还包括通孔，所述通孔贯穿至少一层功能层，所述通孔用于使封装胶通过所述通孔流入；沟槽，所述沟槽设置在至少部分所述通孔上方，其中，所述至少部分通孔在阵列基板的衬底基板上的投影区域位于所述沟槽在所述衬底基板上的投影区域内；其中，所述功能层包括层叠的第一膜层、第二膜层和第三膜层；所述第一膜层较所述第二膜层以及第三膜层远离所述衬底基板；所述通孔包括第一通孔、第二通孔；所述第一通孔贯穿第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第二通孔贯穿第二膜层；所述沟槽包括设置在第二通孔上方的第一沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
