[发明专利]一种沉积氮化钛薄膜的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沉积氮化钛薄膜的方法，首先在真空反应腔体中，只通入少量四氯化钛气体，在一定高温和等离子的共同作用下，将四氯化钛分解成氯离子，氯离子在辅助气体的作用下，清除半导体结构表面的氧化物，反应副产物依靠气泵的作用下抽出反应腔体；而后，继续通入四氯化钛气体和氨气，在高温和等离子体的共同作用下，反应生成所需要氮化钛薄膜。即采用原位的方法，以低成本的优点来完成复杂结构表面的氧化物清除和氮化钛薄膜的沉积，最终实现晶圆制造成本的降低，且该方法简单易行，操作可控性强。

主权项

一种沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，基于原位清除氮化物工艺，所述方法包括：步骤S1，提供一待形成氮化钛薄膜的半导体结构，且所述半导体结构的表面具有一层氧化物；步骤S2，将所述半导体结构放置在一反应腔体中，并向所述反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛气体，以清除所述氧化物；步骤S3，继续向所述反应腔体中通入氨气和第二体积的四氯化钛气体，以在所述半导体结构的表面形成所述氮化钛薄膜；其中，所述第一体积小于所述第二体积。