[发明专利]一种沉积氮化钛薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610055250.4 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105551954A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 封铁柱 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 氮化 薄膜 方法 | ||
1.一种沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，基于原位清除氮化物 工艺，所述方法包括：
步骤S1，提供一待形成氮化钛薄膜的半导体结构，且所述半导 体结构的表面具有一层氧化物；
步骤S2，将所述半导体结构放置在一反应腔体中，并向所述反 应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛气体，以清除所述氧化 物；
步骤S3，继续向所述反应腔体中通入氨气和第二体积的四氯化 钛气体，以在所述半导体结构的表面形成所述氮化钛薄膜；
其中，所述第一体积小于所述第二体积。
2.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述方法应用于储存单元三维模式层层堆叠的结构的制备工艺中。
3.如权利要求2所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述氮化钛薄膜为金属钨的阻挡层。
4.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述辅助气体为氩气。
5.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述反应腔体为真空反应腔体。
6.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述反应腔体为具有高温和等离子体的气氛的反应腔体。
7.如权利要求65所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述步骤S2包括：
步骤S21，将所述半导体结构放置在所述反应腔体中，并向所述 反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛气体，所述第一体积 的四氯化钛气体在所述高温和等离子体的气氛中分解产生氯离子，所 述氯离子在所述辅助气体的作用下，将所述氧化物予以清除；
步骤S21，采用气泵将所述步骤S21中产生的反应副产物从所述 反应腔体中抽出。
8.如权利要求6所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述步骤S3包括：
步骤S31，向所述反应腔体中通入氨气和第二体积的四氯化钛气 体，在所述高温和等离子体的气氛中，所述氨气和第二体积的四氯化 钛气体在所述半导体结构的表面反应生成所述氮化钛薄膜；
步骤S32，采用气泵将所述步骤S31中产生的反应副产物从所述 反应腔体中抽出。
9.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 根据工艺需求设定所述第一体积和所述第二体积。
10.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于， 所述氧化物为自然氧化物或金属氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
