[发明专利]氧化硅薄膜的沉积方法及低温多晶硅TFT基板的制备方法

摘要

本发明提供一种氧化硅薄膜的沉积方法与低温多晶硅TFT基板的制备方法。该氧化硅薄膜的沉积方法通过引入紫外光作为沉积氧化硅反应的辅助能量，利用紫外光将氧气分解为游离氧，与有机硅烷气体反应生成氧化硅，从而在无等离子体环境中沉积形成氧化硅薄膜，避免了氧化硅薄膜表面被高能量的等离子体撞击所形成的界面缺陷和表面损伤，提高氧化硅薄膜的成膜质量。该低温多晶硅TFT基板的制备方法通过采用在紫外光照射环境中有机硅烷气体与氧气反应生成氧化硅的方法来制作栅极绝缘层中的氧化硅薄膜，避免了现有等离子体增强化学气相沉积方法中等离子体对氧化硅薄膜表面造成的表面缺陷和界面损伤，从而提高氧化硅薄膜的成膜质量，提升TFT电性。

主权项

1.一种氧化硅薄膜的沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一化学气相沉积装置(110)，所述化学气相沉积装置(110)具有一反应腔室(120)，所述反应腔室(120)的上方设有紫外光源(130)；步骤2、在所述反应腔室(120)的底部放置一基板(210)，向所述反应腔室(120)中通入有机硅烷气体和氧气，打开所述紫外光源(130)，所述氧气在紫外光的照射下分解产生游离氧，所述有机硅烷气体和游离氧发生化学反应生成氧化硅，沉积于基板(210)上形成氧化硅薄膜(250)；所述紫外光源(130)发出的紫外光为波长在10nm到14nm之间的极紫外光；所述有机硅烷气体为四乙氧基硅烷，所述四乙氧基硅烷与氧气在紫外光下反应生成氧化硅的反应式为：Si(OC2H5)4+O2→SiOx+2H2O+CO2。